薄膜制备工艺在超大规模集成电路技术中有着非常广泛的应用，按照其成膜方法可分为两大类：物理气相沉积(PVD)和化学气相沉积（CVD）。等离子增强型化学气相淀积（PECVD）是化学气相淀积的一种，其淀积温度低是它最突出的优点。PECVD淀积的薄膜具有优良的电学性能、良好的衬底附着性以及极佳的台阶覆盖性，正由于这些优点使其在超大规模集成电路、光电器件、MEMS等领域具有广泛的应用。

由于PECVD应用范围广，本司深圳市技高美纳米科技有限公司正利用PECVD的独有特性，通过液态源将药水转换成药蒸气，利用低温等离子体在工艺腔体的阴极上（即样品放置的托盘）产生辉光放电，通过水循环使电极板温度保持到50度以下，然后通入适量的工艺气体与药蒸气，这些气体和药体进入仓体后产生一系列化学反应和等离子体反应，最终在样品表面形成固态薄膜。

在反应过程中，反应气体与药蒸气从进气口进入真空仓体，逐渐扩散至整个仓体内部，在射频源激发的电场作用下，反应气体分解成电子、离子和活性基团等。这些分解物发生化学反应，生成形成膜的初始成分和副反应物，这些生成物以化学键的形式吸附到样品表面，生成固态防水疏水膜的晶核，晶核逐渐生长成岛状物，岛状物继续生长成连续的薄膜。在薄膜生长过程中，各种副产物从膜的表面逐渐脱离，在真空泵的作用下从出口排出。

所生成纳米膜厚度可控制在20nm至2000nm。并具有防水、疏水、疏油、抗氧化、抗腐蚀等作用。